Китайцы разработали полупроводники на основе оксида галлия

Ученые из Чжэцзянского университета разработали полупроводники нового поколения, используя в качестве основы оксид галлия. Они увидели, что этот материал единственный, который может образовывать отдельные кристаллы. При нормальном давлении он затвердевает из состояния расплавленности. Особенность такого состояния может сократить расходы на производство.

Полупроводники из оксида галлия имеют сопротивление высокому напряжению, меньше расходуют энергии и по размеру тоже меньше в сравнении с иными поколениями проводников. Аналитики FLOSFIA считают, что к 2025 году рынок оксида галлия будет наравне с нитридом галлия. Кроме того с такими полупроводниками снизится необходимость в иридии на 80%, который стоит на рынке достаточно дорого.

Ученые-разработчики уже получили патенты на это изобретение. Поэтому на следующем этапе планируется оптимизация технологии путем управления температурными режимами.

Источник https://www.scmp.com/news/china/science/article/3233718/chinese-breakthrough-gallium-oxide-semiconductor-may-deliver-edge-amid-us-export-ban.