Впервые графен удалось применить для изготовления полупроводника
Не первый десяток лет ученые исследуют графен и намереваются обойти главное препятствие, которое мешает этому материалу прийти на смену кремнию. Это энергетическая щель, которая важна в работе электронных устройств, что полупроводники могли включаться и выключаться. Специалисты Технологического института Джорджии смогли вырастить эпитаксиальный графен на подложке из карбида углерода. При правильном применении этого соединения образуется связь с карбидом кремния, и проявляются свойства полупроводника. Сделав такое открытие, ученые продолжили совершенствовать материал.
Чтобы создать функциональный транзистор, полупроводящий материал подвергают серьезным изменениям, которые могут плохо отразиться на его свойствах. Поэтому ученым понадобилось измерить электронные свойства графена, не нарушив их, чтобы его можно было применить как полупроводник. Для этого был использован метод присадки.
